NSB4904DW1T1G
NSB4904DW1T1G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSB4904DW1T1G
- 商品编号
- C604324
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 输入电阻 | 47kΩ | |
| 电阻比率 | 1 |
商品概述
偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们。在NSB4904DW1T1G和NSB4904DW1T2G中，两个互补的BRT器件封装在SC - 88/SOT - 363封装中，该封装非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用。
商品特性
-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准