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NCP1129AP65G

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描述: NCP1129 提供了构建可靠紧凑的 AC-DC 开关电源所需的一切功能，且周边元件极少。使用 NCP1129 构建的转换器结合了雪崩额定电压为 650 V 的 MOSFET，可以针对国际条件进行安全设计，而不会危害总体可靠性。NCP1129 实施了峰值电流模式控制和可调斜坡补偿，可确保连续导通模式 (CCM) 运行下的稳定性。最大峰值电流可使用外部电阻调节，使得设计人员能够增加斜坡补偿来稳定 CCM 电源。短路故障条件从辅助绕组电压进行独立检测，因此可使用真正的过载检测改善短路保护。源引脚提供对于 MOSFET 源的访问，实现过功率补偿。该开关供电范围高达 26 V，还提供带抖动的 65 kHz 或 100 kHz 开关频率，在峰值电流模式控制下运行。当辅助侧功率开始降低时，该开关将其开关频率自动折回至最低 26 kHz 的水平。当功率进一步下降时，该零部件进入跳过周期，同时对峰值电流进行限制。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP1129AP65G
商品编号: C603481
商品封装: PDIP-7
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

NCP112x系列将高性能电流模式控制器与650 V MOSFET集成在一起，大大简化了紧凑可靠的开关模式电源（SMPS）的设计。在低元件数量和高成本效益是关键参数的应用中，该组件是理想之选。NCP112x具备当今现代电源设计所需的大部分必要功能，并进行了多项改进，如VCC过压保护（OVP）、可调斜率补偿、频率抖动、频率折返、跳周期等。

商品特性

对于NCP1124，内置650 V、1 A MOSFET，RDS(on)为8.6 Ω
对于NCP1126，内置650 V、1.8 A MOSFET，RDS(on)为5.4 Ω
对于NCP1129，内置650 V、5.5 A MOSFET，RDS(on)为2.1 Ω
固定频率65或100 kHz电流模式控制，具备可调内部斜坡补偿
可通过外部电阻调节电流限制
频率折返至26 kHz，具备跳周期功能，提高轻载效率
采用频率抖动技术改善电磁干扰（EMI）
在高压输入时，待机功耗低于100 mW
符合EPS 2.0标准
7引脚封装提供爬电距离
这些器件为无铅器件

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	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	输出电流	-
	开关频率	65kHz
	工作温度	-40℃~+150℃
	同步整流	-

	属性	参数值
	输出通道数	1
	拓扑结构	反激式
	静态电流(Iq)	-
	开关管(内置/外置)	-