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HRTK40N05P
HRTK40N05P
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- 品牌名称
- HRmicro(华瑞微)
- 商品型号
- HRTK40N05P
- 商品编号
- C5440230
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 113W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 692pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 499pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用先进沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on),可大幅降低开关和传导损耗。因此,它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 低品质因数RDS(on) × Qgd
- 100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
-AC/DC转换器-电池保护充放电-负载开关-同步整流
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