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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 655V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 481W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133.5nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5.966nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 80 mΩ（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2 至 4 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 不对称桥-转换器-逆变器-单开关正激电路-反激电路