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SVF2N60RMJ
2A、600V N沟道MOSFET
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- 描述
- SVF2N60RD/M/MJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器中
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVF2N60RMJ
- 商品编号
- C601625
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
SVF2N60RD/M/MJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用士兰微专有的 F-Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。
商品特性
- 2A、600V，RDS(on)（典型值）=3.7Ω@VGS=10V
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 快速开关
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- AC-DC 电源
- DC-DC 转换器
- H 桥 PWM 电机驱动器