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SVF4N150PF
4A、1500V N沟道MOSFET
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- 描述
- SVF4N150PF(P7)(F) 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F-CellTM 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于电源领域
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVF4N150PF
- 商品编号
- C601620
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SVF4N150PF(P7)(F)是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用Silicon专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于电源领域。
商品特性
- 4A、1500V,VGS = 10 V时,RDS(on)(典型值) = 5.0 Ω
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-电源