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AO6601
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:3.4A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。互补MOSFET构成高速功率逆变器，适用于多种应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO6601
- 商品编号
- C5375977
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A；2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V；88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V；5.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF；260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF；20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF；37pF |
商品概述
SOP-8封装通过定制引线框架进行了改进，具有增强的热特性和双芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，多个器件可显著应用于某个应用中。
商品特性
- VDS(V) = -30 V
- ID = -2.3 A (VGS = -10 V)
- RDS(ON) < 115 mΩ (VGS = -10 V)
- VDS(V) = 30 V,ID = 3.4 A (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 60 mΩ (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 70 mΩ (VGS = 4.5 V)
- RDS(ON) < 90 mΩ (VGS = 2.5 V)
- RDS(ON) < 150 mΩ (VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 200 mΩ (VGS = -2.5 V)