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AO6800
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=20V。 RDS(ON)<22mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<28mΩ(VGS=4.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO6800
- 商品编号
- C5375979
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
XCH拥有适用于500V至1000V电压的系列多外延超结功率MOSFET平台，具备设计服务和制造能力，包括单元、终端设计和仿真。 GSx11N65E是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品，采用先进技术，具有更好的特性，如快速开关时间、低输入电容Ciss和反向传输电容Crss、低导通电阻和出色的雪崩特性。 TO - 252 TO - 220F
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20 V
- 导通电阻(RDS(ON)) < 22 mΩ(栅源电压VGS = 10 V)
- 导通电阻(RDS(ON)) < 28 mΩ(栅源电压VGS = 4.5 V)