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AO6802
2个N沟道 耐压:30V 电流:3.5A
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。适用于作为负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO6802
- 商品编号
- C5375981
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.05nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低Crss（典型值13pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源-基于半桥的电子镇流器-LED电源