AO6401A
耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并可在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = -30V。 ID = -5A(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 47mΩ(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 64mΩ(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ(VGS = -2.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO6401A
- 商品编号
- C5375980
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 645pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)个
起订量:10 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
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