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AO6401A
耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = -30V。 ID = -5A(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 47mΩ(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 64mΩ(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ(VGS = -2.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO6401A
- 商品编号
- C5375980
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 645pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
AGM605A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- VDS(V) = -30 V
- ID = -5 A \left(VGS = -10 V\right)
- RDS(ON)< 47 m Ω \left(VGS=-10 V\right)
- RDS(ON) < 64 m Ω \left(VGS = -4.5 V\right)
- RDS(ON) < 85 m Ω \left(VGS = -2.5 V\right)
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器
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