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AO6604
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:3.4A 2.5A
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- 描述
- 结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的导通电阻RDS(ON)。 适用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO6604
- 商品编号
- C5375978
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A；2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@4.5V；56mΩ@-4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W；1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V；8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF；560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF；70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF；48pF |
商品特性
- N沟道:
- VDS(V) = 20 V
- RDS(ON) < 65 mΩ (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 75 mΩ (VGS = 4.5 V)
- RDS(ON) < 100 mΩ (VGS = 1.8 V)
- P沟道:
- VDS(V) = -20 V
- RDS(ON) < 75 mΩ (VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 95 mΩ (VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) < 115 mΩ (VGS = -1.8 V)
应用领域
- 负载开关
- 电池保护