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AGM306C
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- AGM306C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM306C
- 商品编号
- C5367081
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRFP240是采用先进的MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管是适用于开关电源、高速开关和通用应用的理想器件。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
- MB/VGA核心电压
- 开关电源二次侧同步整流
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器