温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM310M
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGM310M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM310M
- 商品编号
- C5367087
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V；45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF；1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF；237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF；130pF |
商品概述
- 表面贴装封装-极低的阈值电压-先进的沟槽单元设计
商品特性
- 漏源击穿电压（BVDSS） ≥ 120 V
- 漏极电流（ ID） = 100 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 5.6 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 8 mΩ
应用领域
- 便携式电器-电池管理-高速开关-低功耗直流-直流转换器