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AGM3401E
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.4A
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- 描述
- AGM3401E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM3401E
- 商品编号
- C5367090
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS™ P7 是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器