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AGM310A
1个N沟道 耐压:30V 电流:28A
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- 描述
- AGM310A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM310A
- 商品编号
- C5367082
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 40A
- 栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 18 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 22 mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷 × 导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度达 150°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 直流 - 直流（DC/DC）转换器
- 适用于高频开关和同步整流