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AGM310A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM310A

1个N沟道 耐压:30V 电流:28A

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描述
AGM310A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM310A
商品编号
C5367082
商品封装
PDFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))9.7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)850pF
反向传输电容(Crss)98pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻

应用领域

  • MB/VGA Vcore
  • 开关电源二次同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF