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BUK6Y14-40PX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK6Y14-40PX

1个P沟道 耐压:40V 电流:64A

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描述
P沟道增强型MOSFET采用LFPAK56(Power SO8)表面贴装器件(SMD)塑料封装,使用沟槽MOSFET技术。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用,如电池反接保护。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK6Y14-40PX
商品编号
C5361351
商品封装
LFPAK56(PowerSO-8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)64A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)64nC@10V
输入电容(Ciss)2.3nF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 高散热功率能力
  • 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境
  • 沟槽MOSFET技术
  • 通过AEC-Q101认证

应用领域

  • 反接电池保护
  • 电源管理
  • 高端负载开关
  • 电机驱动

数据手册PDF