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BUK6Y24-40PX
1个P沟道 耐压:40V 电流:39A
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- 描述
- P沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用，如电池反接保护。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6Y24-40PX
- 商品编号
- C5361352
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,8.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 66W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
RF3L05150CB4是一款150 W、28/32 V的LDMOS场效应晶体管，专为频率范围从HF到1 GHz的宽带通信和ISM应用而设计。它可用于AB类、B类或C类放大器，适用于所有典型调制格式。
商品特性
- 高效率和线性增益操作
- 集成ESD保护
- 宽的正、负栅源电压范围，改善C类放大器工作性能
- 符合欧洲指令2002/95/EC
应用领域
- 2 - 30 MHz高频或短波通信
- 30 - 88 MHz地面通信
- 118 - 140 MHz电子设备
- 136 - 174 MHz商用地面通信
- 30 - 512 MHz干扰器、地面/空中通信
- 高频至1000 MHz ISM - 仪器仪表
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