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PMV280ENEAR
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.1A
- 描述
- N-通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV280ENEAR
- 商品编号
- C5361355
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 385mΩ@10V,1.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
交货周期
订货5-7个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单
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