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SISS05DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p- 沟道功率 MOSFET 在紧凑且热增强的封装中提供极低的 RDS(on)。 实现更高的功率密度。 100% 进行 Rg 和 UIS 测试。应用：移动设备中的电池管理。 适配器和充电器开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS05DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5358666
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.1nF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 175 °C工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单