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SIHF530STRL-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIHF530STRL-GE3

耐压:100V 电流:10A

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描述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、器件设计坚固、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D2PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHF530STRL-GE3
商品编号
C5359572
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
2.087克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))160mΩ@10V,8.4A
耗散功率(Pd)88W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC
输入电容(Ciss)670pF
反向传输电容(Crss)60pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)250pF

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