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PJM3416NSA
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM3416NSA
- 商品编号
- C5359582
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 静电放电(人体模型)保护能力高达2KV
- 高功率和电流处理能力
- VDS = 20V,ID = 6.5A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(导通) < 22mΩ
- SOT - 23封装
应用领域
-负载开关-脉宽调制应用
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