- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFBG30PBF-BE3
第三代功率MOSFET，具备快速开关、坚固设计、低导通电阻和高性价比特点，采用TO - 220AB封装
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBG30PBF-BE3
- 商品编号
- C5358932
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单
- MBR20100CT-M3/4W
- FEP16FT-E3/45
- VS-80CPH03-N3
- HA40101V4-D26C-999
- EF50151B2-C03C-A99
- EF50151B1-C02C-A99 10CM 2.5
- EF40101B1-1Q08C-S99
- PF40281B2-Q02C-S99
- HA60151V4-000C-999,10CM
- HA40101V4-000C-999,85mm,2.5mm
- PF60381B1-000C-S99
- EF50150B1-1C01C-A99,50X15,5V
- EF80151B1-Q01C-S99
- ME80201V3-000C-A99
- EE80251B3-000C-A99-15CM
- EF50152B1-1C01C-A99
- MF40101V2-C01C-A99
- KD1204PFB3(7cm)
- PSD1208PMB1-A(2).B4609-1.F.GN
- EF50151B1-C02C-A99,5500,17CMA8H+SMP
- KD1204PFB2(7cm)