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IRF620STRLPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:3.3A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的管芯尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其较低的内部连接电阻，D2PAK (TO-263)适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF620STRLPBF
- 商品编号
- C5358686
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 1.5 V栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 240 mΩ（最大值）（在VGS = -1.5 V时）；RDS(ON) = 168 mΩ（最大值）（在VGS = -1.8 V时）；RDS(ON) = 123 mΩ（最大值）（在VGS = -2.5 V时）；RDS(ON) = 93 mΩ（最大值）（在VGS = -4.5 V时）
应用领域
- 电源管理开关