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IRF620STRLPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF620STRLPBF

1个N沟道 耐压:200V 电流:3.3A

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描述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX-4的管芯尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其较低的内部连接电阻,D2PAK (TO-263)适用于大电流应用,并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRF620STRLPBF
商品编号
C5358686
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.66克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)3.3A
导通电阻(RDS(on))800mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)260pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

商品特性

-表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-驱动要求简单-易于并联

应用领域

  • 电源管理开关

数据手册PDF