SSM3J327R,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.9A
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- 描述
- 特性:1.5-V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)。RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)。RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)。RDS(ON) = 93 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)。应用:电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J327R,LF
- 商品编号
- C5358556
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 93mΩ@4.5V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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