温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM3K56CT,L3F
1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。RDS(ON) = 300 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。RDS(ON) = 480 mΩ (最大值) (@VGS = 1.8 V)。RDS(ON) = 840 mΩ (最大值) (@VGS = 1.5 V)。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K56CT,L3F
- 商品编号
- C5358559
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 235mΩ@4.5V,800mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 55pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品特性
- 当VGS为10V、ID为500mA时，RDS(ON) < 3Ω
- 当VGS为4.5V、ID为200mA时，RDS(ON) < 4Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 专为电池供电系统、固态继电器驱动器设计：继电器、显示器、存储器等
- 静电放电（ESD）防护达2KV人体模型（HBM）
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料