温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7341
2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- IRF7341
- 商品编号
- C5355495
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 25V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 5 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 36 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能出色。