WCR250N65DV
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WCR250N65DV
- 商品编号
- C5355513
- 商品封装
- DFN-4L(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 255mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.202nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MDT9N20是硅N沟道增强型MOSFET，采用先进的MOSFET技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管是适用于开关电源、高速开关及通用应用的理想器件。
商品特性
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源
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