WCR190N65DV
1个N沟道 耐压:650V 电流:17A
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WCR190N65DV
- 商品编号
- C5355512
- 商品封装
- DFN-4L(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 143W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.584nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 100%栅极电阻测试
应用领域
-开关应用