WNM6010-3/TR
1个N沟道 耐压:60V 电流:76A
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM6010-3/TR
- 商品编号
- C5355510
- 商品封装
- TO-252E-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V,76A | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.844nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SOP-8封装通过定制引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种电源应用。
商品特性
- 第五代技术
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 全雪崩额定
- 无铅
- VDS（V） = 55 V
- RDS（ON） < 50 mΩ（VGS = 10 V）
- RDS（ON） < 65 mΩ（VGS = 4.5 V）
- VDS（V） = -55 V
- RDS（ON） < 90 mΩ（VGS = 10 V）
- RDS（ON） < 100 mΩ（VGS = 4.5 V）