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BSS169
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低RDS(ON)。 表面贴装封装
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- BSS169
- 商品编号
- C5355491
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 234mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
AGM315MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 低RDS(ON)
- 表面贴装封装
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点（POL）应用
- 无刷直流（BLDC）电机驱动器
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