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BSS123_R1_00001
1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@170mA < 6Ω。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@130mA < 10Ω。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 ESD保护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- BSS123_R1_00001
- 商品编号
- C5354953
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 栅源电压(VGS)为10V、漏极电流(ID)为170mA时,导通电阻(RDS(ON))小于6Ω
- 栅源电压(VGS)为4.5V、漏极电流(ID)为130mA时,导通电阻(RDS(ON))小于10Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、脉宽调制(PWM)应用等设计
- 静电放电(ESD)防护达2KV人体模型(HBM)
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料
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