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ZXMN6A25GTA(UMW)
1个N沟道 耐压:60V 电流:6.7A
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- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- ZXMN6A25GTA(UMW)
- 商品编号
- C5354978
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V；70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.063nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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