温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMN6A25GTA(UMW)
1个N沟道 耐压:60V 电流:6.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- ZXMN6A25GTA(UMW)
- 商品编号
- C5354978
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V；70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.063nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- RDS(ON)< 50 m Ω \left(VGS=10 V\right)
- RDS(ON) < 70 m Ω \left(VGS = 4.5 V\right)
- 低输入电容
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 无铅涂层
- 无卤素和锑