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NDT3055L(UMW)
1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 这种非常高密度的工艺专门设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NDT3055L(UMW)
- 商品编号
- C5354979
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | 345pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 导通电阻（RDS(ON)） < 43 mΩ（栅源电压VGS = -4.5 V）
- 导通电阻（RDS(ON)） < 52 mΩ（栅源电压VGS = -2.5 V）
- 无卤
应用领域
- 负载开关
- 笔记本适配器开关