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SSM3J340R,LF
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 特性：4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON)=86mΩ（最大值）（@VGS = -4.0V）。 -RDS(ON)=73mΩ（最大值）（@VGS = -4.5V）。 -RDS(ON)=45mΩ（最大值）（@VGS = -10V）。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J340R,LF
- 商品编号
- C5354959
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 492pF@10V |
商品概述
2N7002K是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 2N7002K符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术