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LM-2N7002LT1G-ES
N沟道增强型场效应晶体管
- 描述
- Trench Power MV MOSFET 技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- LM-2N7002LT1G-ES
- 商品编号
- C5353603
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MD70N10采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，当栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 70 A时，导通电阻Rdson < 21 mΩ（典型值：17 mΩ）
- 开关速度快
- 经过100%雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
应用领域
-电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS