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IRF7103TRPBF(TP)
60V 6A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- IRF7103TRPBF(TP)
- 商品编号
- C5350808
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 979pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这款标称工作电压为 2.5 伏的 P 型场效应晶体管是飞兆半导体公司先进“功率沟槽”工艺的坚固型栅极版本。它经过优化，适用于电源管理应用，具有广泛的栅极驱动电压范围（2.5 伏至 12 伏）。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 0.018 Ω，在栅源电压VGS = -2.5V时
- -8.8 , -20 V。漏源导通电阻RDS(ON) = 0.0125 Ω，在栅源电压VGS = -4.5 V时
- 扩展的栅源电压VGSS范围（± 12 V），适用于电池应用
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
- 负载开关
- 电机驱动
- DC/DC转换
- 电源管理