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HSBA0903
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:8A 6.2A
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- 描述
- 特性：超低栅极电荷。100% EAS保证。有绿色环保器件。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电源管理。DC电机控制
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA0903
- 商品编号
- C5341695
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V,1.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V；1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V；19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.229nF@30V；66pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@30V；29pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSK3400是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSK3400符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术