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HSU0903
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 100% EAS保证。 有绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：电源管理。 DC电机控制
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU0903
- 商品编号
- C5341702
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 255mΩ@4.5V,1.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V；19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.229nF@30V；66pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@30V；29pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBA4113 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA4113 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术