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HSP6117
1个P沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- HSP6117符合RoHS和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面功能且可靠性得到认可。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP6117
- 商品编号
- C5341704
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.635nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 241pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSH18N20是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH18N20符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 超低栅极电荷-提供绿色环保器件-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术