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HSH4070
1个N沟道 耐压:40V 电流:170A
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- 描述
- 经过100% UIS测试。采用先进的沟槽技术。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH4070
- 商品编号
- C5341705
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.872nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
100%保证通过EAS测试
- 提供环保器件 超低导通电阻RDS(ON)
- 先进的高单元密度沟槽技术 N沟道100V快速开关MOSFET产品概述
商品特性
- 100% 单脉冲雪崩耐量测试
- 先进沟槽技术
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 符合 RoHS 标准且无卤
应用领域
-开关模式电源同步整流-DC/DC 转换器-或门二极管