温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSH0076A
1个N沟道 耐压:100V 电流:308A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 100% EAS 保证。 有绿色环保器件。 超低导通电阻 RDS(ON)。 先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH0076A
- 商品编号
- C5341706
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 308A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 430W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.37nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 388pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBA3006是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA3006符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术