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HSBB6054
1个N沟道 耐压:60V 电流:33A
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- 描述
- Advanced Trench MOS Technology。Low Gate Charge。Low RDS(ON)。100% EAS Guaranteed。Green Device Available
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB6054
- 商品编号
- C5341686
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
商品特性
- 漏源电压（V） = -30 V
- 漏极电流 = -2 A（栅源电压 = -10 V）
- 导通电阻 < 80 mΩ（栅源电压 = -10 V）
- 导通电阻 < 125 mΩ（栅源电压 = -4.5 V）
- 行业标准SOT - 23封装的高功率版本
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻
- 低栅极电荷（典型值6.2 nC）
- 更高的功率处理能力