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HSK4101
1个P沟道 耐压:40V 电流:5.8A
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- 描述
- HSK4101是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSK4101符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSK4101
- 商品编号
- C5341683
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 100 V）
- 增强型：Vth = 1.5 至 2.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.1 mA）
应用领域
- 汽车电机驱动器-开关稳压器