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RC7252KDW
1个N沟道+1个P沟道 电流:0.34A 0.18A
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- 描述
- 该 N 沟道 + P 沟道 MOSFET 采用先进的功率沟槽工艺设计，以优化导通电阻 RDS(ON)。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC7252KDW
- 商品编号
- C5334483
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA；340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V；4.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.62V；1.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF；30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF；5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF；10pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
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