温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N7002KQBZ
1个N沟道 耐压:60V 电流:720mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型DFN1110D - 3（SOT8015）无引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- 2N7002KQBZ
- 商品编号
- C5311560
- 商品封装
- DFN-3(1.1x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 720mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 635mΩ@10V,720mA | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 920pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交11单