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PMV27UPER
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.6A
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV27UPER
- 商品编号
- C5311569
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 980mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 增强的功耗能力:Ptot = 980 mW
- 静电放电(ESD)保护2 kV HBM
应用领域
-LED驱动器-电源管理-高端负载开关-开关电路
- BUK4D38-20PX
- BUK4D16-20X
- MJD32C
- PMEG3050EP-QX
- MJD45H11A
- NCA9306DPH
- MJD44H11
- MJD45H11
- Sn99.3Cu0.7φ0.8 125g
- IPP019N08NF2SAKMA1
- TLE73682E
- XMC4400F100F512BAXQMA1
- BAR6404WH6327XTSA1
- TLF35584QVHS2XUMA1
- BAS4007E6327HTSA1
- BAS4007WH6327XTSA1
- TLE4275DV33ATMA1
- BBY6502VH6327XTSA1
- 1ED3123MC12HXUMA1
- BAT15099RE6327HTSA1
- 1ED3890MC12MXUMA1