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IPP77N06S212AKSA2
1个N沟道 耐压:55V 电流:77A
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- 描述
- 特性：N通道。增强模式。汽车级AEC Q101认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色封装（无铅）。超低导通电阻。100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP77N06S212AKSA2
- 商品编号
- C5310863
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 77A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
3N100-C 具备出色的导通电阻 RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于 PWM 应用。
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过汽车级AEC Q101认证
- 湿度敏感度等级1级,最高回流焊峰值温度达260°C
- 工作温度达175°C
- 环保封装(无铅)
- 超低导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试