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2SK3666G-3-AE3-R
1个N沟道
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- 描述
- UTC 2SK3666 是一个N沟道结型硅FET，使用UTC的先进技术提供低IGss和低CRss。适用于低频通用放大器、阻抗转换和红外传感器应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2SK3666G-3-AE3-R
- 商品编号
- C5310366
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 950mV | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
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