IXDD630YI

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路可消除交叉导通和电流“直通”现象，并且该驱动器几乎不会发生闩锁。欠压锁定（UVLO）电路会将输出保持在低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间，使IXD_630系列非常适合用于高频和高功率应用。 IXDD630配置为带使能端的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，而IXDI630配置为反相驱动器。 IXD_630系列采用5引脚TO - 220（CI）和5引脚TO - 263（YI）封装。

• 30A峰值源/灌驱动电流
• 高工作电压能力：35V
• -40℃至+125℃扩展工作温度范围
• 欠压锁定保护
• 逻辑输入可承受高达5V的负摆幅
• 快速上升和下降时间：< 20ns
• 低传播延迟时间
• 低10μA电源电流
• 低输出阻抗

• 高效功率MOSFET和IGBT开关
• 开关模式电源
• 电机控制
• DC - DC转换器
• D类开关放大器
• 脉冲变压器驱动器