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AOB10B65M1
650V、10A 带快速恢复反并联二极管的Alpha IGBT
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- 描述
- 最新的AlphalGBT (α IGBT) 技术。650V击穿电压。非常快速且软恢复的续流二极管。高效的导通di/dt可控性。低VCE/SAT实现高效率。低关断开关损耗和软度。良好的EMI性能。高短路耐受能力
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOB10B65M1
- 商品编号
- C5299864
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 30A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@10A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@15V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 91ns | |
| 导通损耗(Eon) | 180uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 130uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 263ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 25pF |